Substrat ceramic cu nitrură de siliciu pentru electronice

Substrat ceramic cu nitrură de siliciu pentru electronice

Substratul ceramic cu nitrură de siliciu pentru electronice este un tip specializat de material ceramic utilizat în diverse aplicații industriale în care sunt necesare rezistență ridicată, durabilitate și stabilitate termică. Este realizat dintr-o combinație de siliciu, azot și alte elemente care îi conferă proprietăți mecanice, termice și chimice unice.

Substratul ceramic Si3N4 are o rezistență mecanică excepțională, făcându-l foarte rezistent la uzură și deteriorare cauzată de impact și compresie. De asemenea, este foarte rezistent la șocuri termice, capabil să reziste la schimbările rapide de temperatură fără crăpare sau rupere. Acest lucru îl face ideal pentru utilizarea în industriile cu temperaturi înalte, cum ar fi aerospațiale, inginerie auto și alte domenii în care este necesară disiparea căldurii.

Pe lângă proprietățile sale mecanice și termice, substratul ceramic Si3N4 oferă, de asemenea, o izolație electrică excelentă și o bună rezistență la coroziune în medii dure. Este utilizat în aplicații electronice și semiconductoare, cum ar fi modulele de putere și electronicele de înaltă temperatură, datorită proprietăților sale superioare de disipare a căldurii și de izolare.

În general, substratul ceramic cu nitrură de siliciu Si3N4 este un material excepțional cu o gamă largă de aplicații. Rezistența sa mecanică excepțională, stabilitatea termică, izolația electrică și rezistența chimică îl fac ideal pentru diverse aplicații industriale și electronice în care fiabilitatea și eficiența sunt factori critici.

Substrat ceramic Torbo® cu nitrură de siliciu pentru electronice

Articol: substrat de nitrură de siliciu

Material: Si3N4

Culoare: Gri

Grosime: 0,25-1 mm

Prelucrarea suprafeței: Lustruit dublu

Densitate în vrac: 3,24 g/㎤

Rugozitatea suprafeței Ra: 0,4μm

Rezistența la încovoiere: (metoda în 3 puncte): 600-1000Mpa

Modulul de elasticitate: 310Gpa

Rezistența la rupere (metoda IF): 6,5 MPa･√m

Conductivitate termică: 25°C 15-85 W/(m･K)

Factorul de pierderi dielectrice: 0,4

Rezistivitate de volum: 25°C >1014 Ω･㎝

Puterea de defalcare: DC >15㎸/㎜